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DMT6017LSS-13

DMT6017LSS-13 DIODES INC.

DMT6017LSS.pdf
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6017LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.2 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
113+2.23 EUR
200+1.17 EUR
287+0.75 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
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Technische Details DMT6017LSS-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMT6017LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.2 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMT6017LSS-13 DMT6017LSS-13 DIODES INC. DMT6017LSS.pdf Description: DIODES INC. - DMT6017LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.2 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 2245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.23 EUR
200+1.17 EUR
287+0.75 EUR
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1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
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DMT6017LSS-13 DMT6017LSS-13 Diodes Incorporated DMT6017LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
auf Bestellung 3010 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.39 EUR
14+1.5 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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DMT6017LSS-13 DMT6017LSS-13 Diodes Incorporated DMT6017LSS.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.73 EUR
10+1.69 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.75 EUR
2500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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DMT6017LSS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6017LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.2 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2245 Stücke:
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200+1.17 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
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Supplier Device Package: 8-SO
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
auf Bestellung 3010 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.39 EUR
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100+0.99 EUR
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MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 90 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.73 EUR
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100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.75 EUR
2500+0.68 EUR
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