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DMT61M8SPS-13 DIODES INC.


3168549.pdf
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT61M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 205 A, 1600 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Technische Details DMT61M8SPS-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMT61M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 205 A, 1600 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 205A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 2.7W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMT61M8SPS-13 DMT61M8SPS-13 DIODES INC. 3168549.pdf Description: DIODES INC. - DMT61M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 205 A, 1600 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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DMT61M8SPS-13 3168549.pdf
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT61M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 205 A, 1600 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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