DMT64M8LSS-13 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT64M8LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 3900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 2.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 66+ | 3.8 EUR |
| 136+ | 1.71 EUR |
| 166+ | 1.3 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
| 1000+ | 1.06 EUR |
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Technische Details DMT64M8LSS-13 DIODES INC.
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Weitere Produktangebote DMT64M8LSS-13 nach Preis ab 1.06 EUR bis 3.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DMT64M8LSS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT64M8LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 3900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 2.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 2.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm |
auf Bestellung 2321 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT64M8LSS-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT64M8LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 3900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung Pd: 2.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
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Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
Description: DIODES INC. - DMT64M8LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 3900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 2.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 2.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
auf Bestellung 2321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 100+ | 3.8 EUR |
| 136+ | 1.71 EUR |
| 166+ | 1.3 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
| 1000+ | 1.06 EUR |