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DMT64M8LSS-13 DIODES INC.

Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT64M8LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 3900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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Technische Details DMT64M8LSS-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMT64M8LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 3900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	DMT64M8LSS-13	Hersteller : Diodes Incorporated	MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH