DMT69M9LPDW-13 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT69M9LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 44 A, 44 A, 0.0099 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
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Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0099ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details DMT69M9LPDW-13 DIODES INC.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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DMT69M9LPDW-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT69M9LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 44 A, 44 A, 0.0099 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 44A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0099ohm Verlustleistung, p-Kanal: 40.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0099ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 40.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2017 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |