DMT69M9LPDW-13 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT69M9LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 44 A, 44 A, 0.0099 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 44A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0099ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 40.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0099ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 265+ | 0.94 EUR |
| 272+ | 0.86 EUR |
| 280+ | 0.76 EUR |
| 500+ | 0.75 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
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Technische Details DMT69M9LPDW-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT69M9LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 44 A, 44 A, 0.0099 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 44A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0099ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 40.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0099ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 40.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMT69M9LPDW-13 nach Preis ab 0.69 EUR bis 0.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DMT69M9LPDW-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT69M9LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 44 A, 44 A, 0.0099 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 44A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0099ohm Verlustleistung, p-Kanal: 40.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0099ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 40.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1861 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT69M9LPDW-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Transistors - Unclassified Description: DMT69M9LPDW-13 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT69M9LPDW-13 |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT69M9LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 44 A, 44 A, 0.0099 ohm
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMT69M9LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 44 A, 44 A, 0.0099 ohm
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Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 44A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0099ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
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Bauform - Transistor: PowerDI5060
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Verlustleistung, n-Kanal: 40.3W
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 265+ | 0.94 EUR |
| 272+ | 0.86 EUR |
| 280+ | 0.76 EUR |
| 500+ | 0.75 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| DMT69M9LPDW-13 |
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 2500+ | 0.69 EUR |