DMTH10H009SPSQ-13 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H009SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.0067 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details DMTH10H009SPSQ-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H009SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.0067 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Anzahl der Pins: 8Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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DMTH10H009SPSQ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H009SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.0067 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMTH10H009SPSQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; Idm: 350A; 3.2W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Power dissipation: 3.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 350A Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A On-state resistance: 8.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMTH10H009SPSQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; Idm: 350A; 3.2W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Power dissipation: 3.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 350A Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A On-state resistance: 8.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |