| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.03 EUR |
| 10+ | 2.53 EUR |
| 100+ | 2.26 EUR |
| 250+ | 1.86 EUR |
| 500+ | 1.62 EUR |
| 1000+ | 1.46 EUR |
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Technische Details DMTH10H010LCT Diodes Incorporated
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; Idm: 92A; 166W; TO220AB, Pulsed drain current: 92A, Power dissipation: 166W, Gate charge: 58.4nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 108A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: tube, Case: TO220AB, On-state resistance: 9.5mΩ, Mounting: THT.
Weitere Produktangebote DMTH10H010LCT
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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DMTH10H010LCT | Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB |
auf Bestellung 1308 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMTH10H010LCT |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
Description: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
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