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DMTH10H010SCT

DMTH10H010SCT Diodes Incorporated

DIOD_S_A0005737092_1-2542963.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
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Technische Details DMTH10H010SCT Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMTH10H010SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 7400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 187W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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DMTH10H010SCT DMTH10H010SCT Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0005737092-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH10H010SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 7400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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DMTH10H010SCT Hersteller : Diodes Inc dmth10h010sct.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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DMTH10H010SCT DMTH10H010SCT Hersteller : Diodes Incorporated DMTH10H010SCT.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
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