DMTH10H010SPSQ-13 Diodes Incorporated
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Technische Details DMTH10H010SPSQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH10H010SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0066 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMTH10H010SPSQ-13 nach Preis ab 1.27 EUR bis 3.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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DMTH10H010SPSQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
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DMTH10H010SPSQ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H010SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0066 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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DMTH10H010SPSQ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H010SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0066 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMTH10H010SPSQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.3A; Idm: 250A; 1.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.3A Power dissipation: 1.5W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56.4nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Pulsed drain current: 250A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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DMTH10H010SPSQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
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| DMTH10H010SPSQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.3A; Idm: 250A; 1.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.3A Power dissipation: 1.5W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56.4nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Pulsed drain current: 250A |
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