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Technische Details DMTH3004LFG-7 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 250A; 2.5W, Mounting: SMD, Kind of package: 7 inch reel; tape, Case: PowerDI3333-8, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 10A, On-state resistance: 8.5mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 2.5W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 44nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±16V, Pulsed drain current: 250A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote DMTH3004LFG-7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| DMTH3004LFG-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 250A; 2.5W Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 10A On-state resistance: 8.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 44nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 250A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMTH3004LFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMTH3004LFG-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 250A; 2.5W Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 10A On-state resistance: 8.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 44nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 250A |
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