DMTH4002SCTB-13 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTB-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 2220 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2220µohm
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Technische Details DMTH4002SCTB-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTB-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 2220 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 192A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 166.7W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2220µohm.
Weitere Produktangebote DMTH4002SCTB-13 nach Preis ab 1.11 EUR bis 5.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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DMTH4002SCTB-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTB-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 2220 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 166.7W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2220µohm |
auf Bestellung 685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMTH4002SCTB-13 | Diodes Zetex |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMTH4002SCTB-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTB-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 2220 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2220µohm
Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTB-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 2220 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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euEccn: NLR
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2220µohm
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 43+ | 5.95 EUR |
| 62+ | 3.78 EUR |
| 100+ | 2.65 EUR |
| 500+ | 2.2 EUR |
| DMTH4002SCTB-13 |
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Hersteller: Diodes Zetex
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 800+ | 1.11 EUR |