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DMTH4004SCTBQ-13

DMTH4004SCTBQ-13 Diodes Zetex

1144dmth4004sctbq.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 251200 Stücke:
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Technische Details DMTH4004SCTBQ-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMTH4004SCTBQ-13 DMTH4004SCTBQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833139-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH4004SCTBQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3 EUR
103+2.09 EUR
500+2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DMTH4004SCTBQ-13 DMTH4004SCTBQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833139-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH4004SCTBQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.2 EUR
78+3 EUR
103+2.09 EUR
500+2 EUR
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DMTH4004SCTBQ-13 DMTH4004SCTBQ-13 Diodes Incorporated DMTH4004SCTBQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.3 EUR
10+2.88 EUR
100+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DMTH4004SCTBQ-13 DMTH4004SCTBQ-13 Diodes Incorporated DMTH4004SCTBQ.pdf MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.28 EUR
10+3.42 EUR
100+2.34 EUR
500+1.78 EUR
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DMTH4004SCTBQ-13 DIOD-S-A0002833139-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH4004SCTBQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4004SCTBQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMTH4004SCTBQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4004SCTBQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMTH4004SCTBQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.3 EUR
10+2.88 EUR
100+1.99 EUR
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DMTH4004SCTBQ-13 DMTH4004SCTBQ.pdf
DMTH4004SCTBQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+5.28 EUR
10+3.42 EUR
100+2.34 EUR
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