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DMTH4007LK3Q-13

DMTH4007LK3Q-13 Diodes Zetex

1150dmth4007lk3q.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 40V 16.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details DMTH4007LK3Q-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: TO-252-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 70A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote DMTH4007LK3Q-13 nach Preis ab 0.68 EUR bis 2.76 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMTH4007LK3Q-13 DMTH4007LK3Q-13 Diodes Incorporated DMTH4007LK3Q.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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DMTH4007LK3Q-13 DMTH4007LK3Q-13 Diodes Incorporated DMTH4007LK3Q.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
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DMTH4007LK3Q-13 DMTH4007LK3Q-13 DIODES INC. DMTH4007LK3Q.pdf Description: DIODES INC. - DMTH4007LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2437 Stücke:
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97+2.59 EUR
142+1.64 EUR
197+1.09 EUR
500+0.98 EUR
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DMTH4007LK3Q-13 DMTH4007LK3Q-13 DIODES INC. DMTH4007LK3Q.pdf Description: DIODES INC. - DMTH4007LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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DMTH4007LK3Q-13 DMTH4007LK3Q-13 Diodes Incorporated DMTH4007LK3Q.pdf MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 7.3mOhm 10Vgs 70A
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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Description: MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
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DMTH4007LK3Q-13 DMTH4007LK3Q.pdf
DMTH4007LK3Q-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4007LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
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Description: DIODES INC. - DMTH4007LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
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