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DMTH4007LPSQ-13

DMTH4007LPSQ-13 Diodes Zetex

dmth4007lpsq.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin PowerDI 5060 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details DMTH4007LPSQ-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

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DMTH4007LPSQ-13 DMTH4007LPSQ-13 Hersteller : Diodes Zetex dmth4007lpsq.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin PowerDI 5060 T/R Automotive AEC-Q101
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DMTH4007LPSQ-13 DMTH4007LPSQ-13 Hersteller : Diodes Zetex dmth4007lpsq.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin PowerDI 5060 T/R Automotive AEC-Q101
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DMTH4007LPSQ-13 DMTH4007LPSQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH4007LPSQ.pdf MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 6.5mOhm 10Vgs 100A
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DMTH4007LPSQ-13 DMTH4007LPSQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH4007LPSQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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DMTH4007LPSQ-13 DMTH4007LPSQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013120651-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH4007LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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DMTH4007LPSQ-13 DMTH4007LPSQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013120651-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH4007LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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DMTH4007LPSQ-13 DMTH4007LPSQ-13 Hersteller : Diodes Inc dmth4007lpsq.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 15.5A Automotive 8-Pin PowerDI 5060 T/R
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DMTH4007LPSQ-13 DMTH4007LPSQ-13 Hersteller : Diodes Zetex dmth4007lpsq.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin PowerDI 5060 T/R Automotive AEC-Q101
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
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Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V
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