Produkte > DIODES INCORPORATED > DMTH43M8LFGQ-7
DMTH43M8LFGQ-7

DMTH43M8LFGQ-7 Diodes Incorporated

DIOD_S_A0007740046_1-2542996.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS 31V40V
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.18 EUR
10+1.94 EUR
100+1.51 EUR
500+1.25 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.92 EUR
4000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMTH43M8LFGQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Weitere Produktangebote DMTH43M8LFGQ-7 nach Preis ab 0.77 EUR bis 2.59 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMTH43M8LFGQ-7 DMTH43M8LFGQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0007740046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.26 EUR
155+1.51 EUR
164+1.31 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-7 DMTH43M8LFGQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0007740046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.26 EUR
155+1.51 EUR
164+1.31 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-7 DMTH43M8LFGQ-7 Diodes Incorporated DMTH43M8LFGQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 1670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.59 EUR
13+1.64 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-7 DIOD-S-A0007740046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH43M8LFGQ-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
111+2.26 EUR
155+1.51 EUR
164+1.31 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-7 DIOD-S-A0007740046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH43M8LFGQ-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
111+2.26 EUR
155+1.51 EUR
164+1.31 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-7 DMTH43M8LFGQ.pdf
DMTH43M8LFGQ-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 1670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.59 EUR
13+1.64 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH