DMTH47M2LPSWQ-13 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH47M2LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 0.0057 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details DMTH47M2LPSWQ-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH47M2LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 0.0057 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.8W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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DMTH47M2LPSWQ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH47M2LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 0.0057 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMTH47M2LPSWQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED | DMTH47M2LPSWQ-13 Multi channel transistors |
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