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DMTH6016LPD-13

DMTH6016LPD-13 Diodes Zetex

dmth6016lpd.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
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Technische Details DMTH6016LPD-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMTH6016LPD-13 DMTH6016LPD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH6016LPD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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DMTH6016LPD-13 DMTH6016LPD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005045115_1-2542597.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
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DMTH6016LPD-13 DMTH6016LPD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH6016LPD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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7+2.57 EUR
11+1.64 EUR
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DMTH6016LPD-13 Hersteller : Diodes Inc dmth6016lpd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMTH6016LPD-13 DMTH6016LPD-13 Hersteller : Diodes Zetex dmth6016lpd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMTH6016LPD-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMTH6016LPD.pdf DMTH6016LPD-13 SMD N channel transistors
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