DMTH8012LK3Q-13 Diodes Zetex
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.60 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DMTH8012LK3Q-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.6W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMTH8012LK3Q-13 nach Preis ab 0.60 EUR bis 1.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMTH8012LK3Q-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
DMTH8012LK3Q-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 122500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
DMTH8012LK3Q-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2051 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 125000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
DMTH8012LK3Q-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
DMTH8012LK3Q-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
DMTH8012LK3Q-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs 80V 175c N-Ch FET 16mOhm 10Vgs 50A |
auf Bestellung 10175 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
DMTH8012LK3Q-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2051 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 131494 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
DMTH8012LK3Q-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
DMTH8012LK3Q-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
| DMTH8012LK3Q-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
DMTH8012LK3Q-13 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |