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DMTH8012LPSQ-13

DMTH8012LPSQ-13 Diodes Zetex

dmth8012lpsq.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
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Technische Details DMTH8012LPSQ-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 72A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DMTH8012LPSQ-13 nach Preis ab 0.55 EUR bis 1.46 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMTH8012LPSQ-13 DMTH8012LPSQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH8012LPSQ.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2051 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.56 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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DMTH8012LPSQ-13 DMTH8012LPSQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH8012LPSQ.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
auf Bestellung 2042 Stücke:
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Anzahl Preis
2+1.41 EUR
10+1.16 EUR
100+0.9 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.63 EUR
2500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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DMTH8012LPSQ-13 DMTH8012LPSQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH8012LPSQ.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2051 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 183508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+1.46 EUR
19+0.97 EUR
100+0.75 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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DMTH8012LPSQ-13 DMTH8012LPSQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013083928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMTH8012LPSQ-13 DMTH8012LPSQ-13 Hersteller : Diodes Zetex dmth8012lpsq.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMTH8012LPSQ-13 DMTH8012LPSQ-13 Hersteller : Diodes Zetex dmth8012lpsq.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMTH8012LPSQ-13 DMTH8012LPSQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013083928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMTH8012LPSQ-13 DMTH8012LPSQ-13 Hersteller : Diodes Zetex dmth8012lpsq.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
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