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DMTH8030LPDWQ-13 Diodes Incorporated

DMTH8030LPDWQ.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
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Technische Details DMTH8030LPDWQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W (Ta), 41W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.5A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD), Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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Configuration: 2 N-Channel (Dual)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.5A (Tc)
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Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
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