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DMTH8030LPDWQ-13 Diodes Incorporated

Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

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Technische Details DMTH8030LPDWQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631pF @ 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.5A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Power - Max: 3.1W (Ta), 41W (Tc), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	DMTH8030LPDWQ-13	Hersteller : Diodes Incorporated	Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631pF @ 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.5A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Power - Max: 3.1W (Ta), 41W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR)	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH