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DMTH84M1SPS-13 DIODES INC.



Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
82+3.05 EUR
103+2.27 EUR
138+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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Technische Details DMTH84M1SPS-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMTH84M1SPS-13 DMTH84M1SPS-13 DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.05 EUR
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DMTH84M1SPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.05 EUR
103+2.27 EUR
138+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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