DMTH84M1SPSQ-13 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.47 EUR |
| 500+ | 2.73 EUR |
| 1000+ | 2.44 EUR |
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Technische Details DMTH84M1SPSQ-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3100 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85415000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 136W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm.
Weitere Produktangebote DMTH84M1SPSQ-13 nach Preis ab 3.11 EUR bis 12.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DMTH84M1SPSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3100 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 136W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm |
auf Bestellung 2088 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMTH84M1SPSQ-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3100 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3100 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 2088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 12.74 EUR |
| 32+ | 7.28 EUR |
| 100+ | 4.87 EUR |
| 500+ | 3.38 EUR |
| 1000+ | 3.11 EUR |