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DN2470K4-G

DN2470K4-G Microchip Technology

20005410a.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 700V 0.17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details DN2470K4-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - DN2470K4-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 700 V, 170 mA, 42 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 42ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DN2470K4-G DN2470K4-G Hersteller : Microchip Technology 20005410a.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 0.17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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DN2470K4-G DN2470K4-G Hersteller : Microchip Technology 20005410A.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 170MA TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42Ohm @ 100mA, 0V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
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DN2470K4-G DN2470K4-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 20005410A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 170mA; Idm: 0.5A; 2.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 2.5W
Case: TO252
On-state resistance: 42Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1655 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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53+1.36 EUR
59+1.22 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 53
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DN2470K4-G DN2470K4-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 20005410A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 170mA; Idm: 0.5A; 2.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 2.5W
Case: TO252
On-state resistance: 42Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.5A
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DN2470K4-G DN2470K4-G Hersteller : Microchip Technology 20005410a.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 0.17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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DN2470K4-G DN2470K4-G Hersteller : Microchip Technology 20005410A-3443081.pdf MOSFETs 700V 42Ohm
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Mindestbestellmenge: 2
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DN2470K4-G DN2470K4-G Hersteller : Microchip Technology 20005410a.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 0.17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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84+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 84
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DN2470K4-G DN2470K4-G Hersteller : Microchip Technology 20005410A.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 170MA TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42Ohm @ 100mA, 0V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
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DN2470K4-G DN2470K4-G Hersteller : MICROCHIP 2648022.pdf Description: MICROCHIP - DN2470K4-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 700 V, 170 mA, 42 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 42ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DN2470K4-G DN2470K4-G Hersteller : MICROCHIP 2648022.pdf Description: MICROCHIP - DN2470K4-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 700 V, 170 mA, 42 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 42ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7516 Stücke:
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