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DN2625K4-G

DN2625K4-G Microchip Technology

dn2625dk6-g_2017-06-01_09-01-562.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details DN2625K4-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - DN2625K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.1 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DN2625, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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DN2625K4-G DN2625K4-G Hersteller : Microchip Technology dn2625dk6-g_2017-06-01_09-01-562.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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DN2625K4-G DN2625K4-G Hersteller : Microchip Technology dn2625dk6-g_2017-06-01_09-01-562.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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250+1.88 EUR
500+1.78 EUR
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DN2625K4-G DN2625K4-G Hersteller : Microchip Technology dn2625dk6-g_2017-06-01_09-01-562.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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DN2625K4-G DN2625K4-G Hersteller : Microchip Technology dn2625dk6-g_2017-06-01_09-01-562.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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DN2625K4-G DN2625K4-G Hersteller : Microchip Technology 20005537B.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 1.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04 nC @ 1.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
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DN2625K4-G DN2625K4-G Hersteller : Microchip Technology 20005537B-3443363.pdf MOSFETs 250V 3.3A
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DN2625K4-G DN2625K4-G Hersteller : MICROCHIP 20005537B.pdf Description: MICROCHIP - DN2625K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.1 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DN2625
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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DN2625K4-G DN2625K4-G Hersteller : MICROCHIP 20005537B.pdf Description: MICROCHIP - DN2625K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.1 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DN2625
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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DN2625K4-G DN2625K4-G Hersteller : Microchip Technology dn2625dk6-g_2017-06-01_09-01-562.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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DN2625K4-G DN2625K4-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 20005537B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.1A; Idm: 3.3A; 2.5W; TO252
Case: TO252
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 3.3A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DN2625K4-G DN2625K4-G Hersteller : Microchip Technology 20005537B.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 1.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04 nC @ 1.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
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DN2625K4-G DN2625K4-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 20005537B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.1A; Idm: 3.3A; 2.5W; TO252
Case: TO252
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 3.3A
Mounting: SMD
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