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DN3135N8-G

DN3135N8-G Microchip Technology

185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details DN3135N8-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 350V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 135mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DN3135N8-G DN3135N8-G Microchip Technology 20005703A.pdf Description: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.12 EUR
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DN3135N8-G DN3135N8-G Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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DN3135N8-G DN3135N8-G Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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2000+1.27 EUR
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DN3135N8-G DN3135N8-G Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.32 EUR
134+1.26 EUR
136+1.19 EUR
138+1.13 EUR
250+1.06 EUR
500+1 EUR
1000+0.94 EUR
3000+0.93 EUR
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DN3135N8-G DN3135N8-G Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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DN3135N8-G DN3135N8-G Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.44 EUR
4000+1.38 EUR
6000+1.31 EUR
8000+1.25 EUR
10000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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DN3135N8-G DN3135N8-G Microchip Technology 20005703A.pdf MOSFETs 350V 35Ohm
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DN3135N8-G DN3135N8-G Microchip Technology 20005703A.pdf Description: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 26232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.49 EUR
25+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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DN3135N8-G DN3135N8-G MICROCHIP MCHP-S-A0002954814-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3794 Stücke:
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130+1.94 EUR
152+1.54 EUR
172+1.25 EUR
2000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
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DN3135N8-G DN3135N8-G MICROCHIP MCHP-S-A0002954814-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
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Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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DN3135N8-G SUPERTEX 20005703A.pdf
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DN3135N8-G 20005703A.pdf
DN3135N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
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DN3135N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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DN3135N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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134+1.26 EUR
136+1.19 EUR
138+1.13 EUR
250+1.06 EUR
500+1 EUR
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3000+0.93 EUR
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DN3135N8-G
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Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
127+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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DN3135N8-G
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Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+1.44 EUR
4000+1.38 EUR
6000+1.31 EUR
8000+1.25 EUR
10000+1.2 EUR
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MOSFETs 350V 35Ohm
auf Bestellung 7185 Stücke:
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3+1.46 EUR
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DN3135N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 26232 Stücke:
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15+1.49 EUR
25+1.26 EUR
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DN3135N8-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
130+1.94 EUR
152+1.54 EUR
172+1.25 EUR
2000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
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DN3135N8-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
130+1.94 EUR
152+1.54 EUR
172+1.25 EUR
2000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DN3135N8-G 20005703A.pdf
Hersteller: SUPERTEX
auf Bestellung 3790 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH