DN3135N8-G Microchip Technology
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2000+ | 0.98 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DN3135N8-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote DN3135N8-G nach Preis ab 0.83 EUR bis 1.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DN3135N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
DN3135N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3660 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
DN3135N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET 350V 35Ohm |
auf Bestellung 11175 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
DN3135N8-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 135mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm |
auf Bestellung 3794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 135mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm |
auf Bestellung 3794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
 |
DN3135N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
| DN3135N8-G | Hersteller : SUPERTEX |
|
auf Bestellung 3790 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
 |
DN3135N8-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 1.3W; SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 350V Pulsed drain current: 0.18A Power dissipation: 1.3W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 1.3W; SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 350V Pulsed drain current: 0.18A Power dissipation: 1.3W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted |
Produkt ist nicht verfügbar |