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DN3535N8-G

DN3535N8-G Microchip Technology

dn3535a062713.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details DN3535N8-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 350V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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DN3535N8-G DN3535N8-G Hersteller : Microchip Technology dn3535a062713.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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DN3535N8-G DN3535N8-G Hersteller : Microchip Technology dn3535a062713.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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DN3535N8-G DN3535N8-G Hersteller : Microchip Technology dn3535a062713.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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DN3535N8-G DN3535N8-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY dn3535.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 230mA; Idm: 0.5A; 1.6W
Mounting: SMD
Case: SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 10Ω
Drain current: 0.23A
Drain-source voltage: 350V
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.5A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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65+1.10 EUR
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DN3535N8-G DN3535N8-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY dn3535.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 230mA; Idm: 0.5A; 1.6W
Mounting: SMD
Case: SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 10Ω
Drain current: 0.23A
Drain-source voltage: 350V
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.5A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Kind of package: reel; tape
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DN3535N8-G DN3535N8-G Hersteller : Microchip Technology DN3535%20A062713.pdf Description: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
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DN3535N8-G DN3535N8-G Hersteller : Microchip Technology dn3535a062713.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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DN3535N8-G DN3535N8-G Hersteller : Microchip Technology supertex_dn3535-1181116.pdf MOSFETs 350V 10Ohm
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DN3535N8-G DN3535N8-G Hersteller : MICROCHIP DN3535%20A062713.pdf Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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DN3535N8-G DN3535N8-G Hersteller : MICROCHIP DN3535%20A062713.pdf Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
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