DNBT8105-7 Diodes Incorporated


ds30513.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
auf Bestellung 511983 Stücke:

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Technische Details DNBT8105-7 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 600 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DNBT8105-7 DNBT8105-7 DIODES INCORPORATED ds30513.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 600mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.6W
Collector current: 1A
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 60V
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 289 Stücke:
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250+0.29 EUR
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Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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DNBT8105-7 DNBT8105-7 Diodes Incorporated ds30513.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 600mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.6W
Collector current: 1A
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 60V
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
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Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-23-3
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Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
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Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 1A
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