DS1220AD-200IND+ Analog Devices / Maxim Integrated
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 34.65 EUR |
| 10+ | 33.56 EUR |
| 28+ | 33.55 EUR |
| 112+ | 29.69 EUR |
| 252+ | 29.02 EUR |
| 504+ | 28.27 EUR |
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Technische Details DS1220AD-200IND+ Analog Devices / Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1220AD-200IND+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 200 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 200ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 16Kbit, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote DS1220AD-200IND+ nach Preis ab 35.13 EUR bis 35.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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DS1220AD-200IND+ | Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
 Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIPPackaging: Tube Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 16Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 24-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 2K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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DS1220AD-200IND+ | Hersteller : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1220AD-200IND+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 200 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 200ns Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 16Kbit Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025) |
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| DS1220AD-200IND | Hersteller : DALLAS |
09+ |
auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| DS1220AD-200IND | Hersteller : DALLAS |
DIP |
auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| DS1220AD-200IND | Hersteller : DALLAS |
DIP-24 08+09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DS1220AD-200IND+ Produktcode: 165081
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Lieblingsprodukt
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IC > IC Netzteile |
Produkt ist nicht verfügbar
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DS1220AD-200IND+ | Hersteller : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 16Kbit 5V 24-Pin EDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DS1220AD-200IND+ | Hersteller : Maxim |
MOD 24/I°/16K NONVOLATILE SRAM DS1220MOD Anzahl je Verpackung: 14 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DS1220AD-200IND+ | Hersteller : Maxim |
NVRAM NVSRAM Parallel 16Kbit 5V 24-Pin EDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1220AD-200IND | Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP Packaging: Tube Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 16Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 24-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 2K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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