DS1225AD-200+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Hersteller: Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 200 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 40.36 EUR |
| 12+ | 37.59 EUR |
| 36+ | 37.18 EUR |
| 60+ | 36.27 EUR |
| 108+ | 31.84 EUR |
| 252+ | 30.76 EUR |
| 504+ | 29.93 EUR |
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Technische Details DS1225AD-200+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1225AD-200+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 200 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Zugriffszeit: 200ns, usEccn: EAR99, Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 64Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote DS1225AD-200+
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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DS1225AD-200+ | Hersteller : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1225AD-200+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 200 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zugriffszeit: 200ns usEccn: EAR99 Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 64Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DS1225AD-200 | Hersteller : DALLAS |
07+ DIP |
auf Bestellung 708 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| DS1225AD-200 | Hersteller : DALLAS |
08+ DIP |
auf Bestellung 558 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| DS1225AD-200 | Hersteller : DALLAS |
09+ |
auf Bestellung 384 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| DS1225AD-200 | Hersteller : DALLAS |
09+ DIP |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DS1225AD-200+ | Hersteller : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 64kbSRAM; 8kx8bit; 4.5÷5.5V; 200ns; DIP28 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: DIP28 Mounting: THT Memory: 64kb SRAM Operating voltage: 4.5...5.5V Access time: 200ns Kind of memory: NV SRAM Memory organisation: 8kx8bit Kind of interface: parallel Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DS1225AD-200+ | Hersteller : Maxim |
64K Nonvolatile SRAM DS1225 Anzahl je Verpackung: 12 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1225AD-200 | Hersteller : Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1225AD-200+ | Hersteller : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 64k Nonvolatile SRAM |
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DS1225AD-200+ | Hersteller : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 64kbSRAM; 8kx8bit; 4.5÷5.5V; 200ns; DIP28 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: DIP28 Mounting: THT Memory: 64kb SRAM Operating voltage: 4.5...5.5V Access time: 200ns Kind of memory: NV SRAM Memory organisation: 8kx8bit Kind of interface: parallel |
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