Technische Details DS1225AD-200+ Analog Devices / Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1225AD-200+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 200 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 200ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 64Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026).
Weitere Produktangebote DS1225AD-200+ nach Preis ab 43.35 EUR bis 49.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DS1225AD-200+ | Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIPPackaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
|
DS1225AD-200+ | Hersteller : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1225AD-200+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 200 ns, EDIPtariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 200ns Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 64Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
| DS1225AD-200 | Hersteller : DALLAS |
09+ DIP |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||
|
DS1225AD-200+ | Hersteller : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
| DS1225AD-200+ | Hersteller : Maxim |
64K Nonvolatile SRAM DS1225Anzahl je Verpackung: 12 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||
|
DS1225AD-200 | Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIPPackaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
|
DS1225AD-200+ | Hersteller : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 64kbSRAM; 8kx8bit; 4.5÷5.5V; 200ns; DIP28 Memory organisation: 8kx8bit Access time: 200ns Kind of interface: parallel Kind of memory: NV SRAM Operating voltage: 4.5...5.5V Case: DIP28 Memory: 64kb SRAM Mounting: THT Type of integrated circuit: SRAM memory |
Produkt ist nicht verfügbar |




