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DS1230Y-70IND

DS1230AB-DS1230Y.pdf
Produktcode: 128415
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IC > IC Speicher

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DS1230Y-70IND+ DS1230Y-70IND+ Analog Devices / Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.54 EUR
12+55.88 EUR
24+53.75 EUR
60+52.71 EUR
108+50.44 EUR
252+48.75 EUR
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DS1230Y-70IND+ DS1230Y-70IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+66.6 EUR
12+61.14 EUR
36+58.76 EUR
60+57.67 EUR
108+56.44 EUR
252+54.69 EUR
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DS1230Y-70IND+ DS1230Y-70IND+ Analog Devices, Inc. ds1230ab-ds1230y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+104.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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DS1230Y-70IND+ DS1230Y-70IND+ ANALOG DEVICES datasheet?ADICID=SYND_WW_P682800_PF-spglobal Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 70 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DS1230Y-70IND DALLAS DS1230AB-DS1230Y.pdf DIP-28 08+09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DS1230Y-70IND+
Hersteller: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
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Anzahl Preis
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DS1230Y-70IND+
Hersteller: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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Hersteller: Analog Devices, Inc.
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
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DS1230Y-70IND+
Hersteller: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 70 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
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euEccn: NLR
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
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Hersteller: DALLAS
DIP-28 08+09+
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