DS1245W-150+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Hersteller: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Memory Organization: 128K x 8
Access Time: 150 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 150ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Tube
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 80.28 EUR |
| 11+ | 74.45 EUR |
| 33+ | 71.79 EUR |
| 55+ | 70.01 EUR |
| 110+ | 61.33 EUR |
| 253+ | 59.64 EUR |
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Technische Details DS1245W-150+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1245W-150+ - NVRAM, SRAM, 1 MB, 128K x 8 Bit, 150 ns, EDIP, tariffCode: 85423290, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Zugriffszeit: 150ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 3V, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026), Anzahl der Pins: 32Pin(s), Speichergröße: 1MB, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM.
Weitere Produktangebote DS1245W-150+ nach Preis ab 82.92 EUR bis 98.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DS1245W-150+ | Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 3.3V 1024k Nonvolatile SRAM |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DS1245W-150+ | ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1245W-150+ - NVRAM, SRAM, 1 MB, 128K x 8 Bit, 150 ns, EDIPtariffCode: 85423290 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: 150ns Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 3V SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 32Pin(s) Speichergröße: 1MB Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| DS1245W-150 | DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DS1245W-150+ |
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Hersteller: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 3.3V 1024k Nonvolatile SRAM
NVRAM 3.3V 1024k Nonvolatile SRAM
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 98.02 EUR |
| 11+ | 90.2 EUR |
| 22+ | 86.69 EUR |
| 55+ | 85.07 EUR |
| 110+ | 82.92 EUR |
| DS1245W-150+ |
![]() |
Hersteller: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1245W-150+ - NVRAM, SRAM, 1 MB, 128K x 8 Bit, 150 ns, EDIP
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 150ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Speichergröße: 1MB
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
Description: ANALOG DEVICES - DS1245W-150+ - NVRAM, SRAM, 1 MB, 128K x 8 Bit, 150 ns, EDIP
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 150ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Speichergröße: 1MB
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DS1245W-150 |
![]() |
Hersteller: DALLAS
DIP-32 08+09+
DIP-32 08+09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)


