DS1245W-150+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 150ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 150 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 67.46 EUR |
11+ | 62.56 EUR |
33+ | 60.33 EUR |
55+ | 58.83 EUR |
110+ | 51.54 EUR |
253+ | 50.12 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DS1245W-150+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1245W-150+ - NVRAM, SRAM, 1 MB, 128K x 8 Bit, 150 ns, EDIP, tariffCode: 85423290, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 150ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: -, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Speichergröße: 1MB, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DS1245W-150+ nach Preis ab 65.28 EUR bis 79.55 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DS1245W-150+ | Hersteller : Analog Devices / Maxim Integrated |
![]() |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
DS1245W-150+ | Hersteller : ANALOG DEVICES |
![]() tariffCode: 85423290 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 150ns Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: - Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Speichergröße: 1MB Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
DS1245W-150 | Hersteller : DALLAS |
![]() |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||
DS1245W-150+ | Hersteller : Maxim |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
DS1245W-150+ | Hersteller : Analog Devices, Inc. |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
|
DS1245W-150 | Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
Produkt ist nicht verfügbar |