DS1245Y-70+
Produktcode: 62228
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Hersteller:
8542 39 90 00
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Weitere Produktangebote DS1245Y-70+ nach Preis ab 75.66 EUR bis 92.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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DS1245Y-70+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP Part Status: Active Supplier Device Package: 32-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 1Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube Memory Organization: 128K x 8 Access Time: 70 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DS1245Y-70+ | Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM |
auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DS1245Y-70+ | ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-70+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, Parallel, 70 ns, DIP tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: DIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Zugriffszeit: 70ns Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 32Pin(s) Speichergröße: 1Mbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM |
auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| DS1245Y-70 | DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| DS1245Y-70+ | Maxim |
1024K Nonvolatile SRAM DS1245 Anzahl je Verpackung: 11 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DS1245Y-70+ |
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Hersteller: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
Memory Organization: 128K x 8
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
Memory Organization: 128K x 8
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 87.16 EUR |
| 11+ | 80.22 EUR |
| 33+ | 77.09 EUR |
| 55+ | 75.66 EUR |
| DS1245Y-70+ |
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Hersteller: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 92.96 EUR |
| 11+ | 85.55 EUR |
| 22+ | 82.19 EUR |
| 55+ | 80.64 EUR |
| DS1245Y-70+ |
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Hersteller: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-70+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, Parallel, 70 ns, DIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: DIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Speichergröße: 1Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-70+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, Parallel, 70 ns, DIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: DIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Speichergröße: 1Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DS1245Y-70 |
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Hersteller: DALLAS
DIP-32 08+09+
DIP-32 08+09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)