| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 179.19 EUR |
| 11+ | 161.32 EUR |
| 22+ | 157.78 EUR |
| 55+ | 155.92 EUR |
| 110+ | 151.03 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DS1250AB-100IND+ Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 512K x 8, Access Time: 100 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 100ns, Supplier Device Package: 32-EDIP, Memory Format: NVSRAM, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 4Mbit, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm), Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote DS1250AB-100IND+
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| DS1250AB-100IND | Hersteller : DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
