DS1250Y-100+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Hersteller: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 186.35 EUR |
10+ | 167.75 EUR |
25+ | 164.07 EUR |
50+ | 160.61 EUR |
100+ | 140.62 EUR |
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Technische Details DS1250Y-100+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP, Packaging: Tube, Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 32-EDIP, Write Cycle Time - Word, Page: 100ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 100 ns, Memory Organization: 512K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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DS1250Y100+ | Hersteller : DALLAS |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DS1250Y-100 | Hersteller : DALLAS | 05+ DIP |
auf Bestellung 506 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DS1250Y-100 | Hersteller : DALLAS | 09+ |
auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DS1250Y-100 | Hersteller : DALLAS | 2010+ |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DS1250Y-100 | Hersteller : DALLAS | DIP |
auf Bestellung 282 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DS1250Y-100 | Hersteller : DALLAS | DIP-32 08+09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DS1250Y-100+ | Hersteller : Maxim | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin EDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1250Y-100+ | Hersteller : Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin EDIP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1250Y-100+ | Hersteller : Maxim |
4096K Nonvolatile SRAM DS1250 DLSDS1250Y100 Anzahl je Verpackung: 11 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1250Y-100 | Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1250Y-100+ | Hersteller : Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM |
Produkt ist nicht verfügbar |