DS1250Y-70IND+ Analog Devices / Maxim Integrated
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 218.12 EUR |
| 11+ | 200.22 EUR |
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| 55+ | 188.64 EUR |
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Technische Details DS1250Y-70IND+ Analog Devices / Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1250Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, 70 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 70ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 512K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 4Mbit, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote DS1250Y-70IND+ nach Preis ab 188.14 EUR bis 231.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DS1250Y-70IND+ | Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
 Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIPPackaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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DS1250Y-70IND+ | Hersteller : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1250Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, 70 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 70ns Speicherkonfiguration NVRAM: 512K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DS1250Y-70IND | Hersteller : DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DS1250Y-70IND+ Produktcode: 149482
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IC > IC Speicher |
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| DS1250Y-70IND+ | Hersteller : Maxim |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin EDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DS1250Y-70IND+ | Hersteller : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin EDIP Tube |
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| DS1250Y-70IND+ | Hersteller : Maxim |
4096K Nonvolatile SRAM DS1250 Anzahl je Verpackung: 11 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1250Y-70IND | Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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DS1250Y-70IND | Hersteller : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM |
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