DSA1-12D
Produktcode: 123036
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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DSA1-12D | Hersteller : IXYS |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 2.3A; tube; Ifsm: 110A; FP-Case Load current: 2.3A Max. forward impulse current: 110A Max. off-state voltage: 1.2kV Mounting: THT Case: FP-Case Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.34V |
auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DSA1-12D | Hersteller : Ixys Corporation |
Diode 1.2KV 2.3A 2-Pin DS1 |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DSA1-12D | Hersteller : IXYS |
Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amps 1200V |
auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 269-273 Tag (e) |
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DSA1-12D | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - DSA1-12D - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 2.3 A, Einfach, 1.34 V, 118 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: - Durchlassstoßstrom: 118A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.34V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe DSA 1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DSA1-12D | Hersteller : IXYS |
Description: DIODE AVALANCHE 1200V 2.3A Packaging: Box Package / Case: Radial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2.3A Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 7 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 1200 V |
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