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DSEP30-12B

DSEP30-12B IXYS

DSEP30-12B-1621947.pdf Hersteller: IXYS
Discrete Semiconductor Modules PWR DISC-FRED
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Technische Details DSEP30-12B IXYS

Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 600V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.75 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.

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DSEP30-12B DSEP30-12B Hersteller : IXYS Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 600V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.75 V @ 30 A
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DSEP30-12B Hersteller : IXYS DSEP30-12B THT universal diodes
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