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Technische Details DSK10C-BT ON Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: R-1, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Weitere Produktangebote DSK10C-BT nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DSK10C-BT | Hersteller : ON Semiconductor |
 Rectifier Diode 200V 1A 2-Pin T/R |
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| DSK10C-BT | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode 200V 1A 2-Pin T/R |
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| DSK10C-BT | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode 200V 1A 2-Pin T/R |
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| DSK10C-BT | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode 200V 1A 2-Pin T/R |
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.jpg "DSK10C-BT") |
DSK10C-BT | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: R-1, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
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