DSK10C-BT ON Semiconductor


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Technische Details DSK10C-BT ON Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: R-1, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.

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