Produkte > DIODES INCORPORATED > DSS2515M-7B
DSS2515M-7B

DSS2515M-7B Diodes Incorporated

DSS2515M.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
auf Bestellung 11553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.73 EUR
10+0.35 EUR
100+0.26 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
5000+0.15 EUR
10000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DSS2515M-7B Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DSS2515M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DSS Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DSS2515M-7B

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DSS2515M-7B DSS2515M-7B Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0001069023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DSS2515M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSS2515M-7B DSS2515M-7B Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0001069023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DSS2515M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSS2515M-7B DSS2515M-7B Hersteller : Diodes Zetex dss2515m.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.5A 1000mW 3-Pin DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSS2515M-7B DSS2515M-7B Hersteller : Diodes Incorporated DSS2515M.pdf Description: TRANS NPN 15V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSS2515M-7B DSS2515M-7B Hersteller : Diodes Incorporated DSS2515M.pdf Description: TRANS NPN 15V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSS2515M-7B Hersteller : DIODES INCORPORATED DSS2515M.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.5A; 1W; X1-DFN1006-3
Case: X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1W
Collector current: 0.5A
Pulsed collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 15V
Quantity in set/package: 10000pcs.
Current gain: 90...200
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH