DSS2515M-7B Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 15V 0.5A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details DSS2515M-7B Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DSS2515M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 90, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: DSS Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote DSS2515M-7B nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DSS2515M-7B | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K |
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DSS2515M-7B | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 15V 0.5A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 250 mW |
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DSS2515M-7B | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DSS2515M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 90 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1 Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: DSS Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 7598 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DSS2515M-7B | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DSS2515M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 7598 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DSS2515M-7B | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 15V 0.5A 250mW 3-Pin DFN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DSS2515M-7B | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 15V 0.5A 250mW 3-Pin DFN T/R |
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DSS2515M-7B | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 15V 0.5A 250mW 3-Pin DFN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |