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DSS2540M-7B

DSS2540M-7B Diodes Zetex

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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
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Technische Details DSS2540M-7B Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DSS Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DSS2540M-7B DSS2540M-7B Diodes Zetex dss2540m.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
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DSS2540M-7B DSS2540M-7B Diodes Zetex 671dss2540m.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin DFN T/R
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DSS2540M-7B DSS2540M-7B Diodes Zetex dss2540m.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
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20000+0.094 EUR
30000+0.09 EUR
50000+0.086 EUR
70000+0.082 EUR
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DSS2540M-7B DSS2540M-7B Diodes Zetex 671dss2540m.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin DFN T/R
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DSS2540M-7B DSS2540M-7B Diodes Zetex dss2540m.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
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DSS2540M-7B DSS2540M-7B Diodes Incorporated DSS2540M.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 220000 Stücke:
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10000+0.17 EUR
20000+0.14 EUR
50000+0.13 EUR
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DSS2540M-7B DSS2540M-7B Diodes Incorporated DSS2540M.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 224307 Stücke:
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25+0.86 EUR
40+0.54 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.2 EUR
5000+0.18 EUR
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DSS2540M-7B DSS2540M-7B Diodes Incorporated DSS2540M.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
auf Bestellung 32266 Stücke:
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4+0.87 EUR
10+0.54 EUR
100+0.35 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.2 EUR
5000+0.18 EUR
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DSS2540M-7B DSS2540M-7B DIODES INC. DIOD-S-A0001069872-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7935 Stücke:
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275+0.9 EUR
447+0.52 EUR
705+0.31 EUR
1026+0.21 EUR
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DSS2540M-7B DSS2540M-7B DIODES INC. DIOD-S-A0001069872-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7935 Stücke:
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275+0.9 EUR
447+0.52 EUR
705+0.31 EUR
1026+0.21 EUR
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DSS2540M-7B
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin DFN T/R
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Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
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50000+0.09 EUR
70000+0.088 EUR
100000+0.086 EUR
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Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
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10000+0.11 EUR
20000+0.094 EUR
30000+0.09 EUR
50000+0.086 EUR
70000+0.082 EUR
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Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
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10000+0.11 EUR
20000+0.1 EUR
30000+0.1 EUR
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DSS2540M-7B
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
auf Bestellung 250000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
10000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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DSS2540M-7B
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 220000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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20000+0.14 EUR
50000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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DSS2540M-7B
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 224307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+0.86 EUR
40+0.54 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.2 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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DSS2540M-7B
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
auf Bestellung 32266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.87 EUR
10+0.54 EUR
100+0.35 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.2 EUR
5000+0.18 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSS2540M-7B DIOD-S-A0001069872-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DSS2540M-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
275+0.9 EUR
447+0.52 EUR
705+0.31 EUR
1026+0.21 EUR
1283+0.17 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSS2540M-7B DIOD-S-A0001069872-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DSS2540M-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
275+0.9 EUR
447+0.52 EUR
705+0.31 EUR
1026+0.21 EUR
1283+0.17 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH