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Technische Details DSS2540M-7B Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DSS Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote DSS2540M-7B nach Preis ab 0.066 EUR bis 0.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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DSS2540M-7B | Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DSS2540M-7B | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R |
auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DSS2540M-7B | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R |
auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DSS2540M-7B | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R |
auf Bestellung 250000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DSS2540M-7B | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 40V 0.5A X1-DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW |
auf Bestellung 220000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DSS2540M-7B | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 40V 0.5A X1-DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW |
auf Bestellung 224307 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DSS2540M-7B | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K |
auf Bestellung 32266 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DSS2540M-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DSS Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 7935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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DSS2540M-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DSS Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 7935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DSS2540M-7B |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10000+ | 0.088 EUR |
| 20000+ | 0.079 EUR |
| DSS2540M-7B |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10000+ | 0.09 EUR |
| 20000+ | 0.082 EUR |
| 30000+ | 0.08 EUR |
| 50000+ | 0.077 EUR |
| 70000+ | 0.075 EUR |
| 100000+ | 0.073 EUR |
| DSS2540M-7B |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10000+ | 0.09 EUR |
| 20000+ | 0.08 EUR |
| 30000+ | 0.077 EUR |
| 50000+ | 0.073 EUR |
| 70000+ | 0.069 EUR |
| 100000+ | 0.066 EUR |
| DSS2540M-7B |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10000+ | 0.099 EUR |
| DSS2540M-7B |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 220000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10000+ | 0.14 EUR |
| 20000+ | 0.12 EUR |
| 50000+ | 0.11 EUR |
| DSS2540M-7B |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 224307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 0.72 EUR |
| 40+ | 0.45 EUR |
| 100+ | 0.28 EUR |
| 500+ | 0.21 EUR |
| 1000+ | 0.19 EUR |
| 2000+ | 0.17 EUR |
| 5000+ | 0.15 EUR |
| DSS2540M-7B |
|
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
auf Bestellung 32266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 0.73 EUR |
| 10+ | 0.45 EUR |
| 100+ | 0.29 EUR |
| 500+ | 0.21 EUR |
| 1000+ | 0.17 EUR |
| 5000+ | 0.15 EUR |
| 10000+ | 0.12 EUR |
| DSS2540M-7B |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DSS2540M-7B |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)