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DSS3540M-7B

DSS3540M-7B Diodes Incorporated

DSS3540M.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 9999 Stücke:
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AnzahlPreis
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Technische Details DSS3540M-7B Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 40V 0.5A X1-DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 250 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DSS3540M-7B DSS3540M-7B Diodes Incorporated DSS3540M.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
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10+0.54 EUR
100+0.34 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.2 EUR
2500+0.18 EUR
5000+0.16 EUR
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Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
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