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DSS4160DS-7

DSS4160DS-7 Diodes Incorporated

DSS4160DS.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN DUAL 60V 1A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
auf Bestellung 2101 Stücke:
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Technische Details DSS4160DS-7 Diodes Incorporated

Description: TRANS 2NPN DUAL 60V 1A SOT-26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 700mW, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 220MHz, Supplier Device Package: SOT-26, Part Status: Active.

Weitere Produktangebote DSS4160DS-7 nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.18 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DSS4160DS-7 DSS4160DS-7 Diodes Incorporated DSS4160DS.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN, NPN 60Vceo 1A 1.1W 200Hfe 150MHz
auf Bestellung 243 Stücke:
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10+0.73 EUR
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500+0.37 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN, NPN 60Vceo 1A 1.1W 200Hfe 150MHz
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