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DSS4160DS-7

DSS4160DS-7 Diodes Incorporated

DSS4160DS.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN DUAL 60V 1A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
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Technische Details DSS4160DS-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DSS4160DS-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 1.7 W, tariffCode: 85411000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 1.7W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DSS4160DS-7 DSS4160DS-7 Diodes Incorporated DSS4160DS.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN, NPN 60Vceo 1A 1.1W 200Hfe 150MHz
auf Bestellung 243 Stücke:
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DSS4160DS-7 DSS4160DS-7 DIODES INC. DIODS20636-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DSS4160DS-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 1.7 W
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz
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Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.7W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2195 Stücke:
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169+1.49 EUR
275+0.84 EUR
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DSS4160DS-7 DSS4160DS-7 DIODES INC. DIODS20636-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DSS4160DS-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 1.7 W
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DSS4160DS-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN, NPN 60Vceo 1A 1.1W 200Hfe 150MHz
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DSS4160DS-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DSS4160DS-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 1.7 W
tariffCode: 85411000
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DSS4160DS-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 1.7 W
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