DSS4160V-7 Diodes Incorporated


DSS4160V.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
auf Bestellung 9000 Stücke:
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Technische Details DSS4160V-7 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 600 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DSS4160V-7 DSS4160V-7 Diodes Incorporated DSS4160V.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
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DSS4160V-7 DSS4160V-7 Diodes Incorporated DSS4160V.pdf Bipolar Transistors - BJT LOW VCE(SAT) NPN SMT
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Transistor Type: NPN
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