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Technische Details DSS5160T-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DSS5160T-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 725 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 725mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DSS Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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DSS5160T-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT PNP 60V 1A 725mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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DSS5160T-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 725 mW |
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DSS5160T-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 725mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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DSS5160T-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 725mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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DSS5160T-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto SOT23 T&R 3K |
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DSS5160T-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 725 mW |
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DSS5160T-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DSS5160T-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 725 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 725mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DSS Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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DSS5160T-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DSS5160T-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 725 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 725mW Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DSS5160T-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 725mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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