DSS5540X-13 Diodes Zetex
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Technische Details DSS5540X-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DSS5540X-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 4 A, 900 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DSS Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 60MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DSS5540X-13 nach Preis ab 0.17 EUR bis 1.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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DSS5540X-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT PNP 40V 4A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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DSS5540X-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 40V 4A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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DSS5540X-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 40V 4A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 900 mW |
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DSS5540X-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 4A; 900mW; SOT89 Mounting: SMD Case: SOT89 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.9W Frequency: 60MHz Collector current: 4A Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 50...350 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DSS5540X-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 4A; 900mW; SOT89 Mounting: SMD Case: SOT89 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.9W Frequency: 60MHz Collector current: 4A Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 50...350 |
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DSS5540X-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 40V 4A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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DSS5540X-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 40V 4A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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DSS5540X-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 40V 4A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 900 mW |
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DSS5540X-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS PNP |
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DSS5540X-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DSS5540X-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 4 A, 900 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DSS Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DSS5540X-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DSS5540X-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 4 A, 900 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DSS Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DSS5540X-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 40V 4A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DSS5540X-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 40V 4A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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