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DSS60600MZ4Q-13

DSS60600MZ4Q-13 Diodes Incorporated

DSS60600MZ4Q.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details DSS60600MZ4Q-13 Diodes Incorporated

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-223-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.2 W, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DSS60600MZ4Q-13 DSS60600MZ4Q-13 Diodes Incorporated DSS60600MZ4Q.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 2.5K
auf Bestellung 274 Stücke:
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2+2.03 EUR
10+1.08 EUR
100+0.82 EUR
500+0.8 EUR
2500+0.5 EUR
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