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DSS60601MZ4-13

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Produktcode: 131112
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DSS60601MZ4-13 DSS60601MZ4-13 Diodes Zetex dss60601mz4.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
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DSS60601MZ4-13 DSS60601MZ4-13 Diodes Zetex dss60601mz4.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
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DSS60601MZ4-13 DSS60601MZ4-13 Diodes Zetex dss60601mz4.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 112500 Stücke:
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DSS60601MZ4-13 DSS60601MZ4-13 Diodes Zetex dss60601mz4.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 112500 Stücke:
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DSS60601MZ4-13 DSS60601MZ4-13 Diodes Incorporated DSS60601MZ4.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
auf Bestellung 12500 Stücke:
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DSS60601MZ4-13 DSS60601MZ4-13 Diodes Incorporated DSS60601MZ4.pdf Bipolar Transistors - BJT LOW VCE(SAT) NPN SMT
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10+0.84 EUR
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DSS60601MZ4-13 DSS60601MZ4-13 Diodes Incorporated DSS60601MZ4.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
auf Bestellung 12707 Stücke:
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DSS60601MZ4-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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DSS60601MZ4-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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DSS60601MZ4-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
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DSS60601MZ4-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT LOW VCE(SAT) NPN SMT
auf Bestellung 16755 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3+1.37 EUR
10+0.84 EUR
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DSS60601MZ4-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
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