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DSS8110Y-7

DSS8110Y-7 Diodes Incorporated

DSS8110Y.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 1A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 45000 Stücke:
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Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.10 EUR
15000+0.10 EUR
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Technische Details DSS8110Y-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DSS8110Y-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 625 mW, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: DSS Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DSS8110Y-7 DSS8110Y-7 Hersteller : Diodes Incorporated DSS8110Y.pdf Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS NPN
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DSS8110Y-7 DSS8110Y-7 Hersteller : Diodes Incorporated DSS8110Y.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 48669 Stücke:
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DSS8110Y-7 DSS8110Y-7 Hersteller : DIODES INC. DIODS21713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DSS8110Y-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 625 mW, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DSS8110Y-7 DSS8110Y-7 Hersteller : DIODES INC. DIODS21713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DSS8110Y-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 625 mW, SOT-363, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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