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DTA023EUBTL

DTA023EUBTL Rohm Semiconductor

dta023emt2l-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
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Technische Details DTA023EUBTL Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-85, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V, Supplier Device Package: UMT3F, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms.

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DTA023EUBTL DTA023EUBTL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA023EUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
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DTA023EUBTL DTA023EUBTL Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA023EUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors
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DTA023EUBTL DTA023EUBTL Hersteller : Rohm Semiconductor dta023emt2l-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
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