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DTA023JMT2L

DTA023JMT2L Rohm Semiconductor

dta023jebtl-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
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Technische Details DTA023JMT2L Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: VMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Weitere Produktangebote DTA023JMT2L nach Preis ab 0.046 EUR bis 0.39 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTA023JMT2L DTA023JMT2L ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA023JM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 7750 Stücke:
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11+0.33 EUR
16+0.21 EUR
100+0.099 EUR
1000+0.094 EUR
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DTA023JMT2L DTA023JMT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA023JM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 833 Stücke:
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53+0.39 EUR
85+0.25 EUR
136+0.15 EUR
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Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors
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Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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