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DTA114EM3T5G

DTA114EM3T5G ON Semiconductor

dta114ed.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
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Technische Details DTA114EM3T5G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-723, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 260 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTA114EM3T5G DTA114EM3T5G ON Semiconductor dta114ed.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
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DTA114EM3T5G DTA114EM3T5G onsemi DTA114E-D.PDF Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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DTA114EM3T5G DTA114EM3T5G onsemi DTA114E-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
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DTA114EM3T5G DTA114EM3T5G onsemi DTA114E-D.PDF Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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DTA114EM3T5G ONSEMI ONSM-S-A0005578147-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - DTA114EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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auf Bestellung 8000 Stücke:
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DTA114EM3T5G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
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AnzahlPrivatkunde
8000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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DTA114EM3T5G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
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AnzahlPrivatkunde
6+0.56 EUR
10+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
5000+0.1 EUR
8000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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DTA114EM3T5G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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Description: ONSEMI - DTA114EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
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euEccn: NLR
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DTA114EM3T5G DTA114E-D.PDF
Hersteller: ONN
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